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重磅!首个功率半导体器件及应用创新中心拟将落户湖南株洲

2017-09-23     总浏览:3637     本文来源于:网络

国电力电子产业网讯 9月22日上午,湖南省IGBT产业对接会暨中国IGBT技术创新与产业联盟第三届学术论坛在株洲举办,IGBT产业链的10余家单位签署框架协议,约定共同创建功率半导体及应用创新中心。创新中心将通过协同技术、人才、资金等资源,打通技术研发供给、商业化等链条,打破国外垄断,推动我国新型功率半导体技术的突破。

 

  据悉,创新中心由中车时代电气、国家电网、南方电网等业内知名单位共同参与组建,汇集企业、高校、科研院所、投资基金,通过打通产业链上下游,形成“材料—器件—装置—应用”的完整产业链,打造利益共同体,共同解决我国在功率半导体器件领域的共性技术。